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FF600R12ME4-B72

INFINEON/英飞凌igbt

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全新原装可开增值税发票

深圳市华睿芯科技有限公司

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FF600R12KE7EHPSA1

Infineon/英飞凌Module

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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FF600R17ME4

FF600R17ME4

原装MODULE

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热卖原装现货FF600R17ME4

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FF600R17ME4

INFINEONMODULE

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FF600R17ME4P

INFINEON/英飞凌IGBT

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FF650R17IE4

INFINEONN/A

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深圳市诚利顺电子科技有限公司

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FF600R12ME4

INFINEON模块

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十七年专营原装现货一手货源,样品免费送

深圳市力仕科电子科技有限公司

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FF600R12ME4

infineonIGBT

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)AG-PRIME2-1

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Infineon(英飞凌)AG-PRIME2-1

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Infineon/英飞凌Module

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INFINEONMODULE

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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货

2510000

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STO-23

深圳市明嘉莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌IGBT

918000

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)AG-PRIME2-1

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INFINEON/英飞凌MODULE

15000

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全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市壹芯创科技有限公司

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INFINEONIGBT

8600

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深圳市金华微盛电子有限公司

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INFINEON/英飞凌SMD

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Infineon(英飞凌)N/A

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生产厂家品牌为Honeywell的FF6-10-DC-03-SS多少钱,想知道FF6-10-DC-03-SS价格是多少?参考价:¥1011.2012。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FF6-10-DC-03-SS批发价格及采购报价,FF6-10-DC-03-SS销售排行榜及行情走势,FF6-10-DC-03-SS报价。

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FF600R12IP4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF600R12IS4F功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF600R12KE3功能描述:IGBT 模块 1200V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

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FF600R12KF4功能描述:IGBT 模块 1200V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: