| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEONN/A |
1689 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌车规-模块MODULE |
1880 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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59 |
23+ |
专业模块销售,欢迎咨询 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEON模块 |
2060 |
23+ |
专业供应模块 热卖库存 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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InfineonMODULE |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEONMODULE |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONMODULE |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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INFINEONIHV73mm |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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InfineonMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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InfineonMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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INFINEON |
3600 |
模块专业分销商!原装正品!价格绝对优势! |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
200 |
18+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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Infineon原厂封装 |
5000 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273035邹小姐 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEONModules |
563 |
19+20+ |
全新原装房间现货 可长期供货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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NOMODULE |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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FF401图片
FF401R17KF6C-B2中文资料Alldatasheet PDF
更多FF401制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:FF401 FULL FACE MASK, S
FF401-85FA制造商:MOFLASH SIGNALLING 功能描述:BEACON SURFACE 24VDC
FF401-DC/THFA制造商:Moflash Signaling Ltd 功能描述:BEACON HALOGEN 12/24V DC
FF401-DCFA制造商:Moflash Signaling Ltd 功能描述:BEACON INCANDESCENT 12/24V DC
FF401R17KF6C_B2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF401R17KF6CB2功能描述:IGBT Module
FF401R17KF6C-B2功能描述:IGBT 模块 1700V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
