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FF225R12ME3分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

厂商型号 |
FF225R12ME3 |
参数属性 | FF225R12ME3 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 325A 1150W |
功能描述 | EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
封装外壳 | 模块 |
文件大小 |
298.1 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-28 8:23:00 |
人工找货 | FF225R12ME3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
FF225R12ME3规格书详情
FF225R12ME3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的FF225R12ME3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号:
FF225R12ME3BOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列:
EconoDUAL™
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 配置:
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.15V @ 15V,225A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
是
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MOD 1200V 325A 1150W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
2022+ |
模块 |
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