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FF200R12KT3分立半导体产品晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

FF200R12KT3
厂商型号

FF200R12KT3

参数属性

FF200R12KT3 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 1050W

功能描述

62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench
IGBT MODULE 1200V 1050W

文件大小

435.25 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-30 23:00:00

FF200R12KT3规格书详情

FF200R12KT3属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。英飞凌科技公司制造生产的FF200R12KT3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

  • 产品编号:

    FF200R12KT3HOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 系列:

    C

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    2 个独立式

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.15V @ 15V,200A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 1050W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
30.9mm*106
6000
原装现货正品
询价
欧派克
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
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Infineon
2018+
module
6000
全新原装正品现货,假一赔佰
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Infineon/英飞凌
21+
30.9mm*106
8800
公司只作原装正品
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模块
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NA
7000
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Infineon
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
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Infineon(英飞凌)
23+
6000
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Infineon(英飞凌)
2021+
30.9mm*106.4mm*61.4mm
506
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INFINEON/英飞凌
18+
MODULE
1
原装现货支持BOM配单服务
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