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FF2000UXTR33T2M1BPSA1	文件：692.72 Kbytes Page：17 Pages	XHP™2 module with CoolSiC™ Trench MOSFET Features • Electrical features - VDSS = 3300 V - IDN = 1000 A / IDRM = 2000 A - Tvj,op = 175°C - Low switching losses - High current density - Low inductive design • Mechanical features - High power density - Package with CTI > 600 - High creepage and clearance distances - AlSiC base p 文件：692.72 Kbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多FF2000UXTR33T2M1BPSA1供应商更新时间2025-10-5 10:50:00