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MBR30L60CTG	文件：314.81 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modePowerRectifier60V,30A FeaturesandBenefits LowForwardVoltage LowPowerLoss/HighEfficiency HighSurgeCapability 30ATotal(15APerDiodeLeg) Guard−RingforStressProtection TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications PowerSupply−OutputRectification PowerManagemen	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR30L60FCT	文件：376.2 Kbytes Page：3 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIERS	NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD 纽航电子广东纽航电子科技有限公司	NIUHANG
MBRF30L60CT	文件：212.91 Kbytes Page：2 Pages	30.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇Lowpowerloss,highefficiency. ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop. ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratory ClassificationsUL94V-0 ◇Highsurgecurrentcapability. ◇Guard-ringfortransientprotection. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequen	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF30L60CT	文件：142 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifier60V,30A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRF30L60CT	文件：973.67 Kbytes Page：2 Pages	30.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇Lowpowerloss,highefficiency. ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop. ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratory ClassificationsUL94V-0 ◇Highsurgecurrentcapability. ◇Guard-ringfortransientprotection. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequen	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBRF30L60CT	文件：2.77547 Mbytes Page：2 Pages	LOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures Ultralowvf Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBRF30L60CTG	文件：142 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifier60V,30A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRF30L60CTG	文件：85.31 Kbytes Page：7 Pages	Switch-modePowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRF30L60CTG	文件：314.81 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modePowerRectifier60V,30A FeaturesandBenefits LowForwardVoltage LowPowerLoss/HighEfficiency HighSurgeCapability 30ATotal(15APerDiodeLeg) Guard−RingforStressProtection TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications PowerSupply−OutputRectification PowerManagemen	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRJ30L60CTG	文件：112.03 Kbytes Page：5 Pages	PowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
FERD30L60CTS
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
FERD（场效应整流器二极管）
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
15A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
150°C（最大）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
DIODE ARRAY 60V 15A TO220AB

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