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MBR30H100CT	文件：146.37 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-30Amp100Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
MBR30H100CT	文件：159.32 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H100CT	文件：81.65 Kbytes Page：3 Pages	High-VoltageDualSchottkyRectifiers DualCommonCathodeHighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapabil	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H100CT	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier100V,30A FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage:0.67V@125°C •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •30ATotal(15APerDiodeLeg) •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR30H100CT	文件：213 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR30H100CT	文件：1.25895 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR30H100CT	文件：1.60747 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR30H100CT	文件：219.51 Kbytes Page：4 Pages	PowerSchottkyRectifier	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
MBR30H100CT	文件：160.94 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeHighVoltageSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H100CTG	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier100V,30A FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage:0.67V@125°C •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •30ATotal(15APerDiodeLeg) •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
FERD30H100SH
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
FERD（场效应整流器二极管）
电流 - 平均整流 (Io)：
30A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
IPAK（TO-251）
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE RECT 100V 30A IPAK

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