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MBR20H100C	文件：4.59248 Mbytes Page：10 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERSCHOTTKYRECTIFIER	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR20H100C	文件：329.67 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MBR20H100CT	文件：578.41 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR20H100CT	文件：444.09 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR20H100CT	文件：159.96 Kbytes Page：3 Pages	DualHigh-VoltageSchottkyRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR20H100CT	文件：159.96 Kbytes Page：3 Pages	DualHigh-VoltageSchottkyRectifiers DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR20H100CT	文件：130.58 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier100V,20A SWITCHMODE™PowerRectifier100V,20A FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage:0.64V@125°C •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •20ATotal(10APerDiodeLeg) •Guard−RingforStressProtection •Pb−Free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR20H100CT	文件：507.31 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
FERD20H100SH
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
FERD（场效应整流器二极管）
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
IPAK（TO-251）
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE RECT 100V 20A IPAK

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