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FEP6DT-E3	文件：151.52 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common Cathode Ultrafast Rectifier 文件：151.52 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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FEP6DT-E3/45	文件：154.82 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier FEATURES • Glass passivated chip junction • Ultrafast recovery time • Low switching losses, high efficiency • Low leakage current • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263 文件：154.82 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
FEP6DT-E3SLASH45	文件：154.82 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier FEATURES • Glass passivated chip junction • Ultrafast recovery time • Low switching losses, high efficiency • Low leakage current • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263 文件：154.82 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
FEP6DT-E3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP 200V 6A TO220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
FEP6DT-E3
功能描述：
整流器 6.0 Amp 200 Volt Dual, 35ns
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

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更多FEP6DT-E3供应商更新时间2025-11-22 16:00:00

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