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FDWS9508L_F085中文资料P 沟道 PowerTrench® MOSFET -40V,-80A,4.9mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDWS9508L_F085

功能描述

P 沟道 PowerTrench® MOSFET -40V,-80A,4.9mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 10:50:00

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FDWS9508L_F085规格书详情

描述 Description

P-Channel PowerTrench® MOSFET -40 V, -80 A, 4.9 mΩ

特性 Features

• Typical RDS(on) = 3.6 mΩ at VGS = - 10V, ID = - 80 A
• UIS Capability
• Qualified to AEC Q101
• Wettable flanks for automatic optical inspection (AOI)

应用 Application

• Automotive Engine Control
• PowerTrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Electrical Power Steering
• Integrated Starter/Alternator
• Distributed Power Architectures and VRM
• Primary Switch for 12V Systems

技术参数

  • 制造商编号

    :FDWS9508L_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-40

  • VGS Max (V)

    :±16

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-80

  • PD Max (W)

    :214

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :8.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :82

  • Ciss Typ (pF)

    :4840

  • Package Type

    :DFN-8

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