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FDW2508P中文资料MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDW2508P

功能描述

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FDW2508P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • FET 功能

    :逻辑电平门

  • 漏源电压(Vdss)

    :12V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :6A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :18 毫欧 @ 6A,4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :1.5V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :36nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :2644pF @ 6V

  • 功率 - 最大值

    :1W

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :8-TSSOP(0.173\,4.40mm 宽)

  • 供应商器件封装

    :8-TSSOP

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