FDW2508P中文资料MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 制造商编号
:FDW2508P
- 生产厂家
:ONSEMI
- FET 功能
:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss)
:12V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:6A
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:18 毫欧 @ 6A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:1.5V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:36nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:2644pF @ 6V
- 功率 - 最大值
:1W
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:8-TSSOP(0.173\,4.40mm 宽)
- 供应商器件封装
:8-TSSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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