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FDU6680A

30V N-Channel PowerTrench MOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

GSC6680

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

LAKW6680MEL

ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS

nichiconNichicon corporation

尼吉康日本尼吉康株式会社

LGUW6680MELY

ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS

nichiconNichicon corporation

尼吉康日本尼吉康株式会社

LGUW6680MELY

Withstanding3000hoursapplicationofratedripplecurrentat105째C.

nichiconNichicon corporation

尼吉康日本尼吉康株式会社

LTS-6680E

0.56inch(14.22mm)digitheightsingledigitseven-segmentdisplay.

LITEONLite-On Technology Corporation

光宝科技光宝科技股份有限公司

MAN6680

0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MAN6680

0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS

QT

QT Optoelectronics

MAX6680

Fail-SafeRemote/LocalTemperatureSensorswithSMBusInterface

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半导体

MAX6680

±1°CFail-SafeRemote/LocalTemperatureSensorswithSMBusInterface

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半导体

详细参数

  • 型号:

    FDU6680A

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多FDU6680A供应商 更新时间2025-7-23 9:12:00