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FDU6680A

30V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS( ON) , fast switching speed and extremely low RDS

文件:126.83 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDU6680A

30V N-Channel PowerTrench MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

GSC6680

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:280.98 Kbytes 页数:5 Pages

GTM

勤益投资控股

LAKW6680MEL

ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS

文件:77.19 Kbytes 页数:2 Pages

nichicon

尼吉康

LGUW6680MELY

Withstanding 3000 hours application of rated ripple current at 105째C.

文件:72.36 Kbytes 页数:5 Pages

nichicon

尼吉康

详细参数

  • 型号:

    FDU6680A

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多FDU6680A供应商 更新时间2025-10-12 16:12:00