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FDS8878中文资料PDF规格书

FDS8878
厂商型号

FDS8878

功能描述

30V N-Channel MOSFET

文件大小

598.24 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 UMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

UMW友台半导体

中文名称

广东友台半导体有限公司(简称UMW®)官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 23:00:00

FDS8878规格书详情

Features

High performance trench technology for

extremely low rDS(on)

Low gate charge

High power and current handling capability

RoHS Compliant

VDS (V) =30V

ID = 10.2A (VGS = 10V)

RDS(ON) <14mΩ(VGS=10V)

RDS(ON) < 17 mΩ(VGS=4.5V)

产品属性

  • 型号:

    FDS8878

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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