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FDS6670AS中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDS6670AS
厂商型号

FDS6670AS

功能描述

30V N-Channel PowerTrench SyncFET

文件大小

114.57 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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FDS6670AS规格书详情

General Description

The FDS6670AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6670AS includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.

特性 Features

• 13.5 A, 30 V. RDS(ON) max= 9.0 mΩ @ VGS = 10 V

RDS(ON) max= 11.5 mΩ @ VGS = 4.5 V

• Includes SyncFET Schottky body diode

• Low gate charge (27nC typical)

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON) and fast switching

• High power and current handling capability

Applications

• DC/DC converter

• Low side notebook

产品属性

  • 型号:

    FDS6670AS

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-CH POWER TRENCH SYNCFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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