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FDS4935中文资料PDF规格书

FDS4935
厂商型号

FDS4935

功能描述

Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

113.21 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 22:59:00

FDS4935规格书详情

General Description

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 20V).

Features

• –7 A, –30 V RDS(ON)= 23 mΩ@ VGS= –10 V

RDS(ON)= 35 mΩ@ VGS= –4.5 V

• Low gate charge (15nC typical)

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• High power and current handling capability

Applications

• Power management

• Load switch

• Battery protection

产品属性

  • 型号:

    FDS4935

  • 功能描述:

    MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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