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FDR6580中文资料N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDR6580

功能描述

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 12:01:00

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FDR6580规格书详情

描述 Description

General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(ON) in a small package.

特性 Features

• 11.2 A, 20 V.
   RDS(ON) = 9 mW @ VGS = 4.5 V
   RDS(ON) = 11 mW @ VGS = 2.5 V
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• High power and current handling capability in a
   smaller footprint than SO8
  
Applications
• Synchronous rectifier
• DC/DC converter

应用 Application

• Synchronous rectifier
• DC/DC converter

技术参数

  • 型号:

    FDR6580

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-8 N-CH 2.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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