FDR6580数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDR6580规格书详情
描述 Description
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(ON) in a small package.
特性 Features
• 11.2 A, 20 V.
RDS(ON) = 9 mW @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 11 mW @ VGS = 2.5 V
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• High power and current handling capability in a
smaller footprint than SO8
Applications
• Synchronous rectifier
• DC/DC converter
应用 Application
• Synchronous rectifier
• DC/DC converter
技术参数
- 型号：
FDR6580
- 功能描述：
MOSFET SSOT-8 N-CH 2.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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SSOT-8 |
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