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FDPF18N50T中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDPF18N50T

功能描述

N-Channel UniFETTM MOSFET 500 V, 18 A, 265 mΩ

丝印标识

FDPF18N50T

封装外壳

TO-220F

文件大小

1.66296 Mbytes

页面数量

11

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-18 23:01:00

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FDPF18N50T规格书详情

描述 Description

UniFETTM MOSFET is ON Semiconductor’s high voltage

MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.

This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to

provide better switching performance and higher avalanche

energy strength. This device family is suitable for switching

power converter applications such as power factor correction

(PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic

lamp ballasts.

特性 Features

• RDS(on) = 220 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 A

• Low Gate Charge (Typ. 45 nC)

• Low Crss (Typ. 25 pF)

• 100 Avalanche Tested

Applications

• LCD/LED/PDP TV

• Lighting

• Uninterruptible Power Supply

产品属性

  • 型号:

    FDPF18N50T

  • 功能描述:

    MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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