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FDP14N30中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDP14N30

功能描述

300V N-Channel MOSFET

文件大小

398.9 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 12:35:00

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FDP14N30规格书详情

描述 Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.

特性 Features

• 14A, 300V, RDS(on) = 0.29Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 18 nC)

• Low Crss ( typical 17 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

产品属性

  • 型号:

    FDP14N30

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    300V N-Channel MOSFET

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