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FDP047AN08A0中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

FDP047AN08A0
厂商型号

FDP047AN08A0

参数属性

FDP047AN08A0 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个;产品描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

355.06 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-21 12:41:00

FDP047AN08A0规格书详情

FEATURES

·Drain Current : ID = 80A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 75V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 4.7 mΩ(Max) @VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

产品属性

  • 产品编号:

    FDP047AN08A0-F102

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    15A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    6V,10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 功率耗散(最大值):

    310W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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