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FDN5632N_F085	文件：267.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET 60V, 1.6A, 98m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN5632N-F085	文件：581.06 Kbytes Page：7 Pages	Marking：5632；Package：SSOT3；N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 1.6 A, 98 m廓 Features -RDS(on)=98mΩatVGS=4.5V,ID=1.6A -RDS(on)=82mΩatVGS=10V,ID=1.7A -TypQg(TOT)=9.2nCatVGS=10V -LowMillerCharge -UISCapability -QualifiedtoAECQ101 -RoHSCompliant Applications -DC/DCconverter -MotorDrives	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDN5632N_F085

文件：267.41 Kbytes

Page：7 Pages

N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET 60V, 1.6A, 98m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDN5632N-F085

文件：581.06 Kbytes

Page：7 Pages

Marking：5632；Package：SSOT3；N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 1.6 A, 98 m廓

Features -RDS(on)=98mΩatVGS=4.5V,ID=1.6A -RDS(on)=82mΩatVGS=10V,ID=1.7A -TypQg(TOT)=9.2nCatVGS=10V -LowMillerCharge -UISCapability -QualifiedtoAECQ101 -RoHSCompliant Applications -DC/DCconverter -MotorDrives

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FDN5632N_F085
功能描述：
MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDN5632N_F085供应商更新时间2025-5-14 14:00:00

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