FDMF5821数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

SPS 系列是安森美下一代完全优化的超小型集成 MOSFET 及驱动器功率级解决方案，可用于高电流、高频率、同步降压 DC-DC 应用。 FDMF5821 将一个带有自举肖特基二级管的驱动器 IC、两个功率 MOSFET 和一个热监控器集成至热性能增强的超小型 5 mm x 5 mm 封装内。通过集成的方法对 SPS 开关功率级进行了优化，以实现驱动器和 MOSFET 优良的动态性能、最小化系统电感和功率 MOSFET RDS(ON)。 SPS 系列采用 Fairchild 的高性能 PowerTrench® MOSFET 技术，可以减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。驱动器 IC 通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。 热监控功能 会发出潜在过温情况的警告。 如果发生过温情况，热关断功能则会关断驱动器。 FDMF5821 还为提高轻载效率整合了自动 DCM 模式 (ZCD#)。 FDMF5821 还提供了 3 态 5 V PWM 输入，可实现与广泛的 PWM 控制器的兼容性。

特性 Features

• Flip Chip 低端 MOSFET 采用超小型 5 mm x 5 mm PQFN Copper Clip 封装
• 高电流处理能力： 60 A
• 三态 5 V PWM 输入栅极驱动器
• 低侧驱动 (LDRV) 的动态电阻模式可在负电感电流期间减慢低侧 MOSFET 开关
• 自动 DCM（低侧栅极关断）使用ZCD# 输入
• 具有模块温度报告功能的热监控器
• 可编程的热关断(P_THDN)
• 高侧短路故障 # 检测/关断
• 双通道模式使能/故障# 引脚
• ZCD# 输入和EN 输入各自的内部上拉和下拉
• 安森美 PowerTrench®MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低侧 MOSFET 中的 安森美 SyncFET™ 技术（集成肖特基二极管）
• 集成式自举肖特基二极管
• 优化的/极短的死区时间
• 为实现开关频率达到 1.5MHz 而优化
• VCC欠压锁定 (UVLO)
• 低关断电流： < 3 µA
• PWM 最低可控导通时间： 30 ns
• 工作结温范围： -40°C 至 +125°C
• 优化的 FET 对，可实现最高效率： 10 ~ 15% 占空比
• 安森美绿色封装，符合 RoHS 标准