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GE6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheGE6679providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchas

ETLE-Tech Electronics LTD

亚历电子亚历电子有限公司

GE6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

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GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GI6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GJ6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GSC6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GU6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

NJU6679

128-commonx132-segmentBITMAPLCDDRIVER

NJRCNew Japan Radio

新日本无线株式会社

NJU6679CL

128-commonx132-segmentBITMAPLCDDRIVER

NJRCNew Japan Radio

新日本无线株式会社

PTC6679

NPNDarlingtonTransistors

NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

SID6679

P-ChannelEnhancementModePowerMos.FET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    FDMC6679

  • 功能描述:

    MOSFET -30V P-Channel Power Trench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FDMC6679供应商 更新时间2025-7-27 11:04:00