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特性 Features
• rDS(ON) = 3.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A
• Qg(tot) = 125nC (Typ.), VGS = 10V
• Internal Gate Resistor, Rg = 20Ω (Typ.)
• Low Miller Charge
• Low QRR Body Diode
• UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
• Qualified to AEC Q101
Applications
• 42V Automotive Load Control
• Starter / Alternator Systems
• Electronic Power Steering Systems
• Electronic Valve Train Systems
• DC-DC converters and Off-line UPS
• Distributed Power Architectures and VRMs
• Primary Switch for 24V and 48V systems
产品属性
- 型号：
FDH038AN08A1
- 功能描述：
MOSFET N-Ch PowerTrench
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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