FDC5614P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FDC5614P规格书详情
General Description
This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
Features
• –3 A, –60 V. RDS(ON) = 0.105 Ω @ VGS = –10 V
RDS(ON) = 0.135 Ω @ VGS = –4.5 V
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
Applications
• DC-DC converters
• Load switch
• Power management
产品属性
- 型号:
FDC5614P
- 功能描述:
MOSFET SSOT-6 P-CH
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
24+ |
SOT23-6 |
18320 |
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ON/安森美 |
24+ |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-23-6 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT23-6 |
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FAIRCHILD |
24+ |
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ON/安森美 |
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SMD |
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ON/安森美 |
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SOT23-6 |
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Onsemi |
22+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
新年份 |
SOT23-6 |
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