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FDBL86566-F085

丝印:FDBL86566;Package:MO-299A;N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 240 A, 2.4 m廓

Features - Typical RDS(on) = 1.9 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A - Typical Qg(tot) = 80 nC at VGS = 10V, ID = 80 A - UIS Capability - RoHS Compliant - Qualified to AEC Q101 Applications - Automotive Engine Control - PowerTrain Management - Solenoid and Motor Drivers - Integrated Starter/Alt

文件:505.81 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDBL86566-F085

MOSFET 60V N-Channel Power Trench MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FDB86566-F085

N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 110 A, 2.7 m廓

文件:531.02 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDC2212QDNTTQ1

Texas Instruments
WSON-12

Texas Instruments

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

Texas Instruments

FDC2512

ON/安森美
SOT-23-6

ON/安森美

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更多FDBL86566-F085供应商 更新时间2025-10-9 18:51:00