订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
FDB6670AL_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET N-Channel PowerTrench向鸿伟业电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
FDB6670AL
- 功能描述:
MOSFET N-Channel PowerTrench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
相近型号
- FDB6690S
- FDB6030BL
- FDB7030
- FDB6021P
- FDB7030BL
- FDB5800
- FDB7030BL-ON
- FDB5690
- FDB7030BLS
- FDB5680
- FDB7030L
- FDB5645
- FDB52N20TM
- FDB7042L
- FDB52N20
- FDB7045L
- FDB44N25TM
- FDB8030L
- FDB44N25
- FDB8160
- FDB42AN15AO
- FDB8160-F085
- FDB42AN15A0
- FDB8441
- FDB4030L
- FDB8442
- FDB4020P
- FDB8442-F085
- FDB390N15A
- FDB8442-F085-FS
- FDB38N30U
- FDB8443
- FDB3860
- FDB8444
- FDB3682
- FDB8444TS
- FDB3672-F085
- FDB8445
- FDB3672_F085/BKN
- FDB8445-F085
- FDB3672
- FDB8447L
- FDB3652SB82059
- FDB8453LZ
- FDB3652-F085
- FDB86102LZ
- FDB3652
- FDB86135
- FDB3632-F085
- FDB86360-F085