订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>FDB42AN15A0>芯片详情
FDB42AN15A0_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench汇莱威一部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
FDB42AN15A0
- 功能描述:
MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
相近型号
- FDB3860
- FDB5645
- FDB5680
- FDB3682
- FDB5690
- FDB3672-F085
- FDB5800
- FDB3672_F085/BKN
- FDB6021P
- FDB3672
- FDB3652SB82059
- FDB6030BL
- FDB3652-F085
- FDB6030L
- FDB3652
- FDB6035
- FDB3632-F085
- FDB6035AL
- FDB3632
- FDB3502
- FDB6035L
- FDB34N20L
- FDB603AL
- FDB33N25TM
- FDB6670AL
- FDB33N25
- FDB6670AS
- FDB30N06L
- FDB6670S
- FDB28N30TM
- FDB6676
- FDB2710
- FDB2670
- FDB6676S
- FDB2614
- FDB6690S
- FDB2572
- FDB7030
- FDB7030BL
- FDB2570
- FDB7030BL-ON
- FDB7030BLS
- FDB2552
- FDB7030L
- FDB2532-F085
- FDB2532(FDI2532)
- FDB7042L
- FDB2532
- FDB7045L
- FDB24AN06LA0