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FDB13AN06A0中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDB13AN06A0
厂商型号

FDB13AN06A0

功能描述

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm

文件大小

300.08 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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FDB13AN06A0规格书详情

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 62A, 13.5mΩ

特性 Features

•rDS(ON)= 11.5mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID= 62A

•Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V

• Low Miller Charge

•Low QRRBody Diode

• UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

• Qualified to AEC Q101

Applications

• Motor / Body Load Control

• ABS Systems

• Powertrain Management

• Injection Systems

• DC-DC converters and Off-line UPS

• Distributed Power Architectures and VRMs

• Primary Switch for 12V and 24V systems

产品属性

  • 型号:

    FDB13AN06A0

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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