FDA28N50F中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FDA28N50F规格书详情
描述 Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These device are well suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.
特性 Features
• RDS(on) = 0.140Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A
• Low Gate Charge ( Typ. 80nC)
• Low Crss ( Typ. 38pF)
• Fast Switching
• 100 Avalanche Tested
• Improved dv/dt Capability
• RoHS Compliant
产品属性
- 型号：
FDA28N50F
- 功能描述：
MOSFET 500V 28A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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