250V半桥栅极驱动器

  FD2204是一款半桥栅极驱动电路集成电路芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达+250V电压下工作。FD2204内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。FD2204集成使能关断功能，能同时关断高低通道HO、LO输出。FD2204死区时间可调，通过调整外接电阻控制死区时间。 ·悬浮绝对电压+250V\n·电源电压工作范围：8V~18V\n·输出电流：+1.2A/-1.8A\n·3.3V/5V输入逻辑兼容\n·VCC/VBS欠压保护（UVLO）\n·死区时间可调\n·集成使能关断功能\n·高低端通道匹配\n·高端输出与输入同相\n··低端输出与输入反相;

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40V半桥栅极驱动器

FD2204D是一款半桥栅极驱动集成电路芯片，可用于驱动高端和低端N型功率MOSFET。高端悬浮电压高达40V，可用于半桥拓扑。最高工作频率可达到1MHz。\n\nFD2204D内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。\n\nFD2204D集成使能关断功能，能同时关断高低通道HO、LO输出。 • 悬浮绝对电压+40V\n• 3.3V/5V输入逻辑兼容\n• 内置死区时间\n• 高端输出与输入同相，低端输出与输入反相\n• 高低端通道匹配\n封装：DFN8;

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250V半桥栅极驱动器

FD2204M是一款半桥栅极驱动集成电路芯片，可用于驱动高端和低端N型功率MOSFET。高端悬浮电压高达250V，可用于半桥拓扑。最高工作频率可达到1MHz。\n\nFD2204M内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。\n\nFD2204M集成使能关断功能，能同时关断高低通道HO、LO输出。\n\nFD2204M死区时间可调，通过调整外接电阻控制死区时间。 • 悬浮绝对电压+250V\n• 输出电流：+1.2A/-1.8A\n• VCC/VBS欠压保护（UVLO）\n• 集成使能关断功能\n• 高低端通道匹配\n封装：MSOP10;

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Schottky Barrier Diodes

Scope The present specifications shall apply to an FMW-24H. Outline High Frequency Rectification Type Silicon Schottky Barrier Diode Structure Resin Molded Applications High Frequency Rectification Flammability UL94V-0(Equivalent)

文件：85.22 Kbytes 页数：3 Pages

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Schottky Barrier Diodes

Scope The present specifications shall apply to an FMW-24H. Outline High Frequency Rectification Type Silicon Schottky Barrier Diode Structure Resin Molded Applications High Frequency Rectification Flammability UL94V-0(Equivalent)

文件：85.22 Kbytes 页数：3 Pages

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Silicon Schottky Barrier Diode

Scope The present specifications shall apply to an FMW-2204. Outline Type Silicon Schottky Barrier Diode Structure Resin Molded Applications High Frequency Rectification Flammability UL94V-0(Equivalent)

文件：251.35 Kbytes 页数：5 Pages

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