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FD150R12RT4HOSA1 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块 INFINEON/英飞凌
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原厂料号:FD150R12RT4HOSA1品牌:INFINEON
只做原装现货
FD150R12RT4HOSA1是分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装PZSDZ/模块的FD150R12RT4HOSA1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
FD150R12RT4HOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
- 系列:
C
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 配置:
单斩波器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.15V @ 15V,150A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MOD 1200V 150A 790W
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