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FD150R12RT4分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

厂商型号 |
FD150R12RT4 |
参数属性 | FD150R12RT4 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 150A 790W |
功能描述 | 34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode |
封装外壳 | 模块 |
文件大小 |
487.43 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-4 9:24:00 |
人工找货 | FD150R12RT4价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
FD150R12RT4规格书详情
FD150R12RT4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的FD150R12RT4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号:
FD150R12RT4HOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列:
C
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 配置:
单斩波器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.15V @ 15V,150A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MOD 1200V 150A 790W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-34MM-1 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
2022+ |
AG-34MM-1 |
48000 |
只做原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-34MM-1 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
Infineon |
2405+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83272883邹小姐 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
NA |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 |