选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
||||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
INFINEONMODULE |
2176 |
18+ |
公司大量现货 随时可以发货 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRMODULE |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRMODULE |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
FD1200R12IE4_B1_S1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FD1200R12IE4_B1_S1图片
FD1200R12IE4-B1-S1中文资料Alldatasheet PDF
更多FD1200R12IE4_B1_S1功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: