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FCP190N65F中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，650V，20.6A，190mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FCP190N65F规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。
特性 Features
•700 V @ TJ = 150°C
•典型值 RDS(on)=168 mΩ
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 60 nC)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 186 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC Power Supplies
• LCD / LED / PDP TV
• Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FCP190N65F
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：650
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：20.6
- PD Max (W)
：208
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：190
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：60
- Ciss Typ (pF)
：2425
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3524 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FSC进口原 |
25+ |
TO-220F |
553 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220 |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价FCP190N65F即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
800 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO-220 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220-3 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
