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FCP190N60E中文资料PDF规格书
FCP190N60E规格书详情
FEATURES
·Drain Current : ID= 20.6A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 600V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.19Ω(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
产品属性
- 型号:
FCP190N60E
- 功能描述:
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1708+ |
TO-220AB |
8500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2022+ |
0 |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
Fairchild/ON |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
NA |
5959 |
询价 | |||
ON SEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
50 |
MOSFET |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2022+ |
TO220 |
20000 |
只做原装进口现货.假一罚十 |
询价 |