首页>FCP190N60E>规格书详情

FCP190N60E中文资料PDF规格书

FCP190N60E
厂商型号

FCP190N60E

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

332.79 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-6-1 15:17:00

FCP190N60E规格书详情

FEATURES

·Drain Current : ID= 20.6A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 600V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.19Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

产品属性

  • 型号:

    FCP190N60E

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-CHAN MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-220-3
6328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
FAIRCHILD
1708+
TO-220AB
8500
只做原装进口,假一罚十
询价
ON(安森美)
2022+
0
4000
原装原厂代理 可免费送样品
询价
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
Fairchild/ON
21+
TO2203
13880
公司只售原装,支持实单
询价
ON/安森美
2023+
NA
5959
询价
ON SEMICONDUCTOR
23+
NA
50
MOSFET
询价
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
6800
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
onsemi
23/22+
NA
9000
代理渠道.实单必成
询价
FAIRCHILD
2022+
TO220
20000
只做原装进口现货.假一罚十
询价