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FCP190N60中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FAST,600 V,20.2 A,199 mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCP190N60

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FAST,600 V,20.2 A,199 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:40:00

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FCP190N60规格书详情

描述 Description

SuperFET® II MOSFET 是飞兆半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性 Features

•650V @TJ = 150°C
•最大值 RDS(on) = 199mΩ
•超低栅极电荷(典型值Qg = 57nC )
•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 160pF )
•100% 经过雪崩击穿测试

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FCP190N60

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :DC: ±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3.5

  • ID Max (A)

    :20.2

  • PD Max (W)

    :208

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :199

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :57

  • Ciss Typ (pF)

    :2220

  • Package Type

    :TO-220-3

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