FCMT199N60中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FAST，600 V，20.2 A，199 mΩ，Power88数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

SuperFET® II MOSFET 是飞兆半导体全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 该技术专为最大程度地减少导通损耗，提供较高的开关性能、dv/dt 速率和较高的雪崩能量而设计。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合用于诸如服务器/电信电源、适配器和光伏逆变器应用等开关电源应用。Power88 封装是一款超薄型表面贴装封装（高度为 1 mm），外形轻薄、小巧 (8x8 mm2)。SuperFET II MOSFET 采用 Power88 封装，由于具有更低的寄生源极电感和独立电源和驱动电源，可实现卓越的开关性能 Power88 可达到湿度敏感 1 级水平 (MSL 1)。

特性 Features

•650 V @ TJ = 150°C
•RDS(on)=170 mΩ（典型值）
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 57 nC)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 160 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• Adaptors
• Server and Telecom Power Supplies
• Solar Inverters