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FCMT199N60规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆半导体全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 该技术专为最大程度地减少导通损耗，提供较高的开关性能、dv/dt 速率和较高的雪崩能量而设计。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合用于诸如服务器/电信电源、适配器和光伏逆变器应用等开关电源应用。Power88 封装是一款超薄型表面贴装封装（高度为 1 mm），外形轻薄、小巧 (8x8 mm2)。SuperFET II MOSFET 采用 Power88 封装，由于具有更低的寄生源极电感和独立电源和驱动电源，可实现卓越的开关性能 Power88 可达到湿度敏感 1 级水平 (MSL 1)。
特性 Features
•650 V @ TJ = 150°C
•RDS(on)=170 mΩ（典型值）
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 57 nC)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 160 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Adaptors
• Server and Telecom Power Supplies
• Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FCMT199N60
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：3.5
- ID Max (A)
：20.2
- PD Max (W)
：208
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：199
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：57
- Ciss Typ (pF)
：2043
- Package Type
：PQFN-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
PQFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
2038 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
20+ |
PQFN |
19570 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
24+ |
PQFN-4 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
PQFN |
1975 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
POWER88 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
22+ |
NA |
2830 |
原装正品支持实单 |
询价 |
