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FCB36N60NTM

N-Channel SupreMOS짰 MOSFET 600 V, 36 A, 90 m廓

Description The SupreMOS® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s next generation of high voltage super-junction (SJ) technology employing a deep trench filling process that differentiates it from the conventional SJ MOSFETs. This advanced technology and precise process control provides lowest Rsp on

文件:239.62 Kbytes 页数:8 Pages

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详细参数

  • 型号:

    FCB36N60NTM

  • 功能描述:

    MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FCB36N60NTM供应商 更新时间2025-12-10 15:11:00