FCA16N60N中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，16 A，199 mΩ，TO-3P数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性 Features

•RDS(on) = 170mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 8A
•超低栅极电荷（典型值Qg = 40.2nC )
•低有效输出电容（典型值Coss.eff = 176pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Factor Correction
• Server/Telecom Power
• Flat Panel Display TV Power
• ATX Power
• Industrial Power Applications

简介

FCA16N60N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FCA16N60N晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。