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IRFB4410Z	文件：1.46878 Mbytes Page：7 Pages	丝印：FB4410Z；Package：TO-220；N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description The IRFB4410Z uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 100V ID = 70 A RDS(ON) 文件：1.46878 Mbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
FB4410Z	文件：300.42 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：300.42 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
FB4410Z	文件：339.29 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FB4410Z	文件：336.33 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：336.33 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
FB4410Z	文件：339.34 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
FB4410Z
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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