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FB30R06W1E3数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
FB30R06W1E3规格书详情
描述 Description
EasyPIM™ 1B 600V PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and NTC.
特性 Features
• Low switching losses
• Trench IGBT3
• VCEsatwith positive temperature coefficient
• Low VCEsat
• Al2O3substrate with low thermal restistance
• Compact design
• Solder contact technology
• Rugged mounting due to integrated mounting clamps
优势:
• Compact module concept
• Optimized customer’s development cycle time and cost
• Configuration flexibility
简介
FB30R06W1E3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FB30R06W1E3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：FB30R06W1E3
- 生产厂家
：Infineon
- Green
：yes
- Halogen-free
：no
- Voltage Class
：600 V
- Configuration
：PIM
- Technology
：IGBT3 - E3
- IC(nom) / IF(nom)
：30 A
- OPN
：FB30R06W1E3BOMA1
- VCE(sat) Tvj=25°C typ
：1.55 V
- VF Tvj=25°C typ
：1.6 V
- Qualification
：Industrial
- Housing
：EasyPIM™ 1B
- Dimensions length
：48 mm
- Dimensions width
：33.8 mm
- Package name
：AG-EASY1B
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
1926+ |
MODULE |
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Infineon(英飞凌) |
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NA/ |
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Infineon Technologies |
24+ |
Module |
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Infineon/英飞凌 |
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AG-EASY1B-1 |
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Infineon/英飞凌 |
2022+ |
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Infineon Technologies |
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原装 |
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Infineon Technologies |
2022+ |
模块 |
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Infineon/英飞凌 |
2022+ |
AG-EASY1B-1 |
48000 |
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INFINEON/英飞凌 |
专业模块 |
MODULE |
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