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FB180SA10	文件：137.03 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Description Fifth Generation, high current density HEXFETS are paralled into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design, very low ON resistance and cost effectiveness. The isolated SOT-227 package is preferred for all commercial - industrial appli 文件：137.03 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
FB180SA10P	文件：174.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET, 180 A FEATURES • Fully isolated package • Easy to use and parallel • Very low on-resistance • Dynamic dV/dt rating • Fully avalanche rated • Simple drive requirements • Low drain to case capacitance • Low internal inductance • UL pending • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC DESCRIPTION 文件：174.08 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
FB180SA10P_V01	文件：174.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET, 180 A FEATURES • Fully isolated package • Easy to use and parallel • Very low on-resistance • Dynamic dV/dt rating • Fully avalanche rated • Simple drive requirements • Low drain to case capacitance • Low internal inductance • UL pending • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC DESCRIPTION 文件：174.08 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
FB180SA10P	文件：189.66 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET, 180 A 文件：189.66 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
FB180SA10	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227	Vishay 威世	Vishay
FB180SA10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
FB180SA10P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET, 180 A	Vishay 威世	Vishay
FB180	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：轴向；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 混合技术描述：DIODE TVS 180VR 2200W FOLDBACK	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE

详细参数

型号：
FB18
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.0065Ohm;ID 180A;SOT-227;PD 480W;VGS +/-20
制造商：
Vishay Angstrohm
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 4-Pin SOT-227
制造商：
Vishay Intertechnologies
功能描述：
Single N-Channel 100 V 0.0065 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-227
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 180A, SOT-227; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
180A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
6.5mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
Yes

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