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FAN7382M	文件：402.54 Kbytes Page：15 Pages	Half-Bridge Gate Driver Description The FAN7382, a monolithic high and low side gate-drive IC, can drive MOSFETs and IGBTs that operate up to +600V. Fairchild’s high-voltage process and common mode noise canceling technique provides stable operation of the high-side driver under high-dv/dt noise circumstances. Fe 文件：402.54 Kbytes 页数：15 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FAN7382M	文件：376.41 Kbytes Page：15 Pages	High- and Low-Side Gate Driver 文件：376.41 Kbytes 页数：15 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
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FAN7382M	文件：377.83 Kbytes Page：16 Pages	High- and Low-Side Gate Driver 文件：377.83 Kbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FAN7382M1	文件：402.54 Kbytes Page：15 Pages	Half-Bridge Gate Driver Description The FAN7382, a monolithic high and low side gate-drive IC, can drive MOSFETs and IGBTs that operate up to +600V. Fairchild’s high-voltage process and common mode noise canceling technique provides stable operation of the high-side driver under high-dv/dt noise circumstances. Fe 文件：402.54 Kbytes 页数：15 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FAN7382M1X	文件：402.54 Kbytes Page：15 Pages	Half-Bridge Gate Driver Description The FAN7382, a monolithic high and low side gate-drive IC, can drive MOSFETs and IGBTs that operate up to +600V. Fairchild’s high-voltage process and common mode noise canceling technique provides stable operation of the high-side driver under high-dv/dt noise circumstances. Fe 文件：402.54 Kbytes 页数：15 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FAN7382MX	文件：402.54 Kbytes Page：15 Pages	Half-Bridge Gate Driver Description The FAN7382, a monolithic high and low side gate-drive IC, can drive MOSFETs and IGBTs that operate up to +600V. Fairchild’s high-voltage process and common mode noise canceling technique provides stable operation of the high-side driver under high-dv/dt noise circumstances. Fe 文件：402.54 Kbytes 页数：15 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
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产品属性

产品编号：
FAN7382M
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
350mA，650mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
60ns，30ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

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