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FAN73711MX	文件：1.2521 Mbytes Page：11 Pages	High-Current, High-Side Gate Drive IC Description TheFAN73711isamonolithichigh-sidegatedriveICthatcandrivehigh-speedMOSFETsandIGBTsoperatingupto+600V.IthasabufferedoutputstagewithallNMOStransistorsdesignedforhighpulsecurrentdrivingcapabilityandminimumcross-conduction. Fairchild’shigh-voltagep	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FAN73711MX	文件：1.5312 Mbytes Page：13 Pages	High-Current, High-Side Gate Drive IC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FAN73711MX	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FAN73711	文件：1.2521 Mbytes Page：11 Pages	High-Current,High-SideGateDriveIC Description TheFAN73711isamonolithichigh-sidegatedriveICthatcandrivehigh-speedMOSFETsandIGBTsoperatingupto+600V.IthasabufferedoutputstagewithallNMOStransistorsdesignedforhighpulsecurrentdrivingcapabilityandminimumcross-conduction. Fairchild’shigh-voltagep	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FAN73711	文件：1.5312 Mbytes Page：13 Pages	High-Current,High-SideGateDriveIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FAN73711M	文件：1.2521 Mbytes Page：11 Pages	High-Current,High-SideGateDriveIC Description TheFAN73711isamonolithichigh-sidegatedriveICthatcandrivehigh-speedMOSFETsandIGBTsoperatingupto+600V.IthasabufferedoutputstagewithallNMOStransistorsdesignedforhighpulsecurrentdrivingcapabilityandminimumcross-conduction. Fairchild’shigh-voltagep	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LC73711	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	SwitchableDTMF/PulseDialerwithMemory SwitchableDTMF/PulseDialerwithMemory	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC73711N	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	SwitchableDTMF/PulseDialerwithMemory SwitchableDTMF/PulseDialerwithMemory	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO

产品属性

产品编号：
FAN73711MX
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
25ns，15ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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