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FAM65HR51DS2分立半导体产品晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

FAM65HR51DS2
厂商型号

FAM65HR51DS2

参数属性

FAM65HR51DS2 包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MODULE 650V 33A 135W

功能描述

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter
IGBT MODULE 650V 33A 135W

文件大小

601.24 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-13 22:59:00

FAM65HR51DS2规格书详情

FAM65HR51DS2属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。安森美半导体公司制造生产的FAM65HR51DS2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

  • 产品编号:

    FAM65HR51DS2

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    半桥逆变器

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 描述:

    IGBT MODULE 650V 33A 135W

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