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FA5502PSLASHM	文件：215.86 Kbytes Page：23 Pages	POWER SUPPLY CONTROL IC Description FA5502P/MisacontrolICforapowerfactorcorrectionsystem.ThisICusesaCMOSdevicewithhighdielectricstrength(30V)toimplementlowpowerconsumption.ThisICusestheaveragecurrentcontrolsystemtoensurestableoperation.Withthissystem,apowerfactorof99%	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FP5502	文件：350.8 Kbytes Page：7 Pages	Low-saturation,Low-voltage1channelsBi-directionalMotorDriver(Micro-actuatorDriver)	FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司	FITIPOWER
HC-5502B	文件：636.93 Kbytes Page：11 Pages	EIA/ITUPABXSLICwith30mALoopFeed Features •Capableof12Vor5V(VB+)Operation •MonolithicIntegratedDevice •DIHighVoltageProcess •CompatibleWithWorldwidePBXPerformance Requirements •ControlledSupplyofBatteryFeedCurrentforShortLoops (30mA) •InternalRingRelayDriver •LowPowerConsumptionDuring	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HC-5502B	文件：84.16 Kbytes Page：9 Pages	EIA/ITUPABXSLICwith30mALoopFeed TheIntersilSLICincorporatesmanyoftheBORSHTfunctionsonasingleICchip.ThisincludesDCbatteryfeed,aringrelaydriver,supervisoryandhybridfunctions.Thisdeviceisdesignedtomaintaintransmissionperformanceinthepresenceofexternallyinducedlongitudinalcurrents.Usingthe	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HC-5502B	文件：603.06 Kbytes Page：11 Pages	EIA/ITUPABXSLICwith30mALoopFeed	Intersil Intersil Corporation	Intersil
KSC5502	文件：227.38 Kbytes Page：8 Pages	NPNPlanarSiliconTransistor HighVoltagePowerSwitchModeApplication •SmallVarianceinStorageTime •WideSafeOperatingArea •SuitableforElectronicBallastApplication	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5502D	文件：259.57 Kbytes Page：11 Pages	NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor Features •HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication •WideSafeOperatingArea •Built-inFree-WheelingDiode •SuitableforElectronicBallastApplication •SmallVarianceinStorageTime •TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5502D	文件：137.91 Kbytes Page：11 Pages	HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication Features •HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication •WideSafeOperatingArea •Built-inFree-WheelingDiode •SuitableforElectronicBallastApplication •SmallVarianceinStorageTime •TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5502D	文件：440.2 Kbytes Page：11 Pages	HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication Features •HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication •WideSafeOperatingArea •Built-inFree-WheelingDiode •SuitableforElectronicBallastApplication •SmallVarianceinStorageTime •TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5502D	文件：278.8 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=1200V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.6V(Max)@IC=0.4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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