F873DP104M760L_电容器薄膜电容器EMI，RFI 抑制-基美

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厂家型号：
F873DP104M760L
制造商：
KEMET/基美
库存数量：
0
类别：
电容器薄膜电容器
封装外壳：
径向
包装：
散装
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-27 16:16:00

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原厂料号：F873DP104M760L品牌：KEMET

资料说明：CAP FILM 0.1UF 20% 1.5KVDC RAD

F873DP104M760L是电容器 > 薄膜电容器。制造商KEMET/基美生产封装径向的F873DP104M760L薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。

芯片型号：
f873dp104m760l
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
KEMET【基美】详情
厂商全称：
KEMET Corporation
中文名称：
基美公司
资料说明：
CAP FILM 0.1UF 20% 1.5KVDC RAD

产品属性

类型
描述
产品编号：
F873DP104M760L
制造商：
KEMET
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
F873
包装：
散装
容差：
±20%
额定电压 - AC：
760V
额定电压 - DC：
1500V（1.5kV）
介电材料：
聚丙烯（PP），金属化
工作温度：
-40°C ~ 110°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
1.024" 长 x 0.433" 宽（26.00mm x 11.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.787"（20.00mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.886"（22.50mm）
应用：
EMI，RFI 抑制
等级：
X1
描述：
CAP FILM 0.1UF 20% 1.5KVDC RAD

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