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F43L50R07W2H3FB11BPSA2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

F43L50R07W2H3FB11BPSA2

参数属性

F43L50R07W2H3FB11BPSA2 封装/外壳为模块;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 650V 50A 20MW

功能描述

MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
IGBT MOD 650V 50A 20MW

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
Infineon
数据手册

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更新时间

2025-8-5 17:12:00

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F43L50R07W2H3FB11BPSA2规格书详情

简介

F43L50R07W2H3FB11BPSA2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的F43L50R07W2H3FB11BPSA2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :F43L50R07W2H3FB11BPSA2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 配置

    :三相反相器

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :650V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :50A

  • 功率 - 最大值

    :20mW

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :1.8V @ 15V,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :1mA

  • 不同 Vce 时的输入电容(Cies)

    :3.1nF @ 25V

  • 输入

    :标准

  • NTC 热敏电阻

    :是

  • 工作温度

    :-40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :底座安装

  • 封装/外壳

    :模块

  • 供应商器件封装

    :模块

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