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F43L50R07W2H3FB11BPSA2中文资料MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 |
| 参数属性 | F43L50R07W2H3FB11BPSA2 封装/外壳为模块；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 650V 50A 20MW |
| 功能描述 | MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1 |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 8:01:00 |
| 人工找货 | F43L50R07W2H3FB11BPSA2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
F43L50R07W2H3FB11BPSA2规格书详情
简介
F43L50R07W2H3FB11BPSA2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的F43L50R07W2H3FB11BPSA2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：F43L50R07W2H3FB11BPSA2
- 生产厂家
：Infineon
- 配置
：三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：650V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：50A
- 功率 - 最大值
：20mW
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：1.8V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：1mA
- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）
：3.1nF @ 25V
- 输入
：标准
- NTC 热敏电阻
：是
- 工作温度
：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：底座安装
- 封装/外壳
：模块
- 供应商器件封装
：模块
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
KEMET(基美) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
EUPEC |
23+ |
400A/1200V |
300 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
询价 | ||
优派克 |
23+ |
模块 |
5500 |
现货,全新原装 |
询价 | ||
INF |
24+ |
2 |
询价 | ||||
Infineon Technologies |
2022+ |
模块 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
Module |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
Module |
7000 |
询价 | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
2118+ |
原厂封装 |
6800 |
公司现货全新原装假一罚十特价 |
询价 |
