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F3L100R07W2E3_B11中文资料英飞凌数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
F3L100R07W2E3_B11
- 功能描述：
IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
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INF |
模块 |
1000 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
IGBT |
32360 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
AG-EASY2B-2 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
原封装 |
52000 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
IGBT |
30000 |
代理原装正品,假一赔十 |
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INF |
2023+ |
SMD |
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INFINEON/英飞凌 |
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MODULE |
26800 |
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INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
IGBT |
8850 |
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