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F339X251030MIP2T0数据手册电容器的薄膜电容器规格书PDF

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厂商型号

F339X251030MIP2T0

参数属性

F339X251030MIP2T0 封装/外壳为径向;包装为散装;类别为电容器的薄膜电容器;F339X251030MIP2T0应用范围:汽车级;EMI,RFI 抑制;产品描述:CAP FILM 1UF 20% 630VDC RADIAL

功能描述

THB Grade IIB Class X2 Interference Suppression Film Capacitor Radial MKP 305 VAC - Across the Line

封装外壳

径向

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 10:16:00

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F339X251030MIP2T0规格书详情

特性 Features

AEC-Q200 qualified (rev. D) up to 105 °C
IEC 60384-14: 2013 / AMD1: 2016 grade IIB: 85 °C, 85 % RH, 500 h at URAC
Compliant with 85 °C, 85 % RH, 1000 h at 240 VAC

应用 Application

For standard across the line X2 applications. See also application note: www.vishay.com/doc?28153

技术参数

  • 制造商编号

    :F339X251030MIP2T0

  • 生产厂家

    :Vishay

  • Lead (Pb)-Free

    :Totally Lead Free

  • MSL Designation

    :Floor Life-Unlimited

  • Device Termination Plating Finish

    :Sn

  • Halogen-Free

    :No

  • GREEN

    :No

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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